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ECSE 433 Physical Basis of Transistor Devices (4 unités)

Nota : Ceci est la version 2020–2021 de l'annuaire électronique. Veuillez mettre à jour l'année dans la barre d'adresse de votre navigateur pour une version plus récente de cette page, ou .

Offered by: Génie électr. et informatique (Génie et l'architecture)

Vue d'ensemble

Génie électrique : Quantitative analysis of diodes and transistors. Semiconductor fundamentals, equilibrium and non-equilibrium carrier transport, and Fermi levels. PN junction diodes, the ideal diode, and diode switching. Bipolar Junction Transistors (BJT), physics of the ideal BJT, the Ebers-Moll model. Field effect transistors, metal-oxide semiconductor structures, static and dynamic behaviour, small-signal models. Laboratory experiments.

Terms: Hiver 2021

Instructors: Szkopek, Thomas (Winter)

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