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Génie électrique : Quantitative analysis of diodes and transistors. Semiconductor fundamentals, equilibrium and non-equilibrium carrier transport, and Fermi levels. PN junction diodes, the ideal diode, and diode switching. Bipolar Junction Transistors (BJT), physics of the ideal BJT, the Ebers-Moll model. Field effect transistors, metal-oxide semiconductor structures, static and dynamic behaviour, small-signal models.
Trimestres : Ce cours n’est pas au programme de l’année universitaire 2011-2012.
Chargés de cours : Aucun professeur n’est associé à ce cours pour l’année universitaire 2011-2012.